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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
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MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
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光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

SGT N80-85V Power MOSFET

SGT N80-85V Power MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，采用SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，具有傳統(tǒng)Trench MOSFET低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有更低的開關(guān)損耗。 SGT MOSFET作為開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)車BMS、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及其他電源管理系統(tǒng)，是其核心的功率控制部件。除傳統(tǒng)TO系列封裝外，采用Copper Clip封裝工藝的DFN5060產(chǎn)品也即將推出。揚(yáng)杰科技目前已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多個(gè)電壓平臺(tái)的系列化解決方案,供客戶根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開關(guān)特性，帶來更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。
2、和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)有更多選擇。
3、針對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。

規(guī)格書

YJP120G08A YJP118G08H YJG100G08E YJG100G08A YJD110G08A YJB120G08A YJB118G08H

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