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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
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SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
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IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT低損耗系列

IGBT低損耗系列 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1. 低損耗系列產(chǎn)品；
2.電壓等級(jí)為1200V，電流涵蓋10A~40A；
3.產(chǎn)品主要用于小功率變頻器、伺服控制器、汽車PTC控制器等；
4.標(biāo)準(zhǔn)的TO 247封裝，客戶端可以實(shí)現(xiàn)pin to pin替代應(yīng)用；
5.IGBT產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.低導(dǎo)通壓降特性（low Vcesat）；
2.最高結(jié)溫Tjmax=175℃;
3.正溫度系數(shù)，低開關(guān)損耗；
4.具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管；
5.具有標(biāo)準(zhǔn)短路支撐能力（10us）。

規(guī)格書

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