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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
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肖特基二極管
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MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
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IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

650V Super Junction N-Channel MOSFET

650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚(yáng)杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計的650V系列超結(jié)產(chǎn)品，可以滿足低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、EMI兼容性以及不同電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求，產(chǎn)品具有良好的導(dǎo)通內(nèi)阻（Rdson)和柵極電荷（Qg)性能，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，更低的開關(guān)噪聲、更低的Trr，綜合提升系統(tǒng)穩(wěn) 定性及性能。
2.開關(guān)速度與EMI平衡、更低的Trr特點，適用于充電器，電源適配器，TV電源、工業(yè)電源等領(lǐng) 域，亦可滿足一些半橋或各種橋式電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用要求。

產(chǎn)品特點 1.采用揚(yáng)杰科技特殊多層外延工藝制程設(shè)計，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性，開關(guān)速度與EMI 平衡、更低的Trr特點；
2.系列產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗低的特點；
3.采用TO-252/ITO-220AB封裝，具有更好的熱值特性。

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