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        新品發(fā)布
        1200V 80 mΩ SIC MOSFET
        1200V 80 mΩ SIC MOSFET 返回
        新產(chǎn)品宣告

        產(chǎn)品介紹 1.近年來(lái)PV逆變器市場(chǎng)進(jìn)入高速發(fā)展期,對(duì)碳化硅功率器件的需求迅速增大,碳化硅二極管和MOSFET應(yīng) 用于BOOST電路中時(shí),可以提高系統(tǒng)的開關(guān)速度,從而可以優(yōu)化整個(gè)系統(tǒng)的能耗和體積;
        2.碳化硅 MOSFET為匹配PV行業(yè)客戶需求,開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對(duì)標(biāo)行業(yè)最佳;
        3.不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用,還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用,采用環(huán)保物料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn);
        產(chǎn)品特點(diǎn) 1.耐高溫特性,工作溫度(175°C);單極性器件,開關(guān)速度快,損耗低,適用于高壓,高頻的應(yīng)用條件;
        2.采用先進(jìn)的減薄工藝,使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性,減小器件能量損耗;
        3.產(chǎn)品封裝類型有TO-247-3L,TO-247-4L等多種封裝形式可選;
        4.通過行業(yè)嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證,包括大批量的HTRB、HTGB測(cè)試和HV-H3TRB測(cè)試。
        規(guī)格書

        YJD212080NCFG1

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