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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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小信號三極管
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肖特基二極管
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靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
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IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
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小信號數(shù)字三極管
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汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

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SiC二極管模塊
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IGBT模塊
IGBT單管
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
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平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

100V TOLL Package MOSFET

100V TOLL Package MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 MOSFET應(yīng)用的功率越來越大，降低MOSFET的導(dǎo)通內(nèi)阻，提高M(jìn)OSFET的散熱性能，減小體積，提升MOSFET的功率密度，是MOSFET從業(yè)者孜孜不倦的追求。揚(yáng)杰科技 TO-Leadless（TOLL)MOSFET封裝經(jīng)過優(yōu)化，可處理高達(dá) 280A的電流，在大幅減少占用空間的同時(shí)提高功率密度。與 D2PAK相比，占用空間減少 30%，高度減少 50%，從而總空間節(jié)省近60% ，使電路板設(shè)計(jì)更加緊湊。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.最高電流能力達(dá) 280A，所需并聯(lián)和散熱部件少；
2.焊接面積經(jīng)改善，顯著減少電遷移現(xiàn)象，高系統(tǒng)可靠性；
3.極低的封裝寄生效應(yīng)，低EMI；
4.無引腳封裝，支持極為緊湊的設(shè)計(jì)；
5.采用TOLL封裝，更好的熱值特性。

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